東北大、GaN半導体の生産スピードを数百倍・欠陥を1000分の一にする技術を開発

東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）結晶の新しい製造手法を開発した。

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https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC02D0A0S2A600C2000000/