IBMとSamsungが「バッテリーが1週間持つスマホ」の実現につながる新型半導体設計を発表、「トランジスタを縦向きに重ねる」という新発想
現地時間2021年12月14日、IBMがSamsungと共同開発した「トランジスタを縦向きに重ねる」という発想の新型半導体設計「Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)」を発表しました。
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Gigazine 2021年12月16日 15時00分
https://gigazine.net/news/20211216-ibm-samsung-vertical-transistor-architecture-chip/
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